2022年3月1日，作为日本新能源与工业技术发展机构（NEDO）战略节能技术创新计划的一部分，Novel Crystal Technology（NCT）公司与大阳日酸公司、东京农工大学合作，首次使用卤化物气相外延法（halide vapor phase epitaxy，HVPE）在6英寸晶圆上成功外延沉积氧化镓（β-Ga₂O₃）。以往的技术只能在最大4英寸晶圆上成膜，NCT在世界上首次实现6英寸成膜。 

　　　　氧化镓比碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）具有更大的带隙能量，由这种材料制成的晶体管和二极管具有优异的功率器件特性，例如高击穿电压、高输出和高效率（低损耗）。2021年6月16日，NCT公司宣布采用HVPE方法成功实现了氧化镓4 英寸 (100mm) 晶圆量产。

　　　　尽管基于HVPE方法的原材料成本较低，并且提供了高纯度的沉积，但目前的设备只能制造小直径（2英寸或4英寸）的单晶圆。为了降低HVPE方法的外延沉积成本，需要能批量生产大直径（6英寸或8英寸）晶圆的设备。

　　　　在NEDO的战略节能技术创新项目“大直径、批量生产下一代氧化镓电力器件”中，NCT公司不仅开发了用于大批量生产氧化镓晶圆和氧化镓薄膜的外延沉积设备，还开发了金属氯化物（HVPE方法的原材料）的外部供应技术，并建立和评估了6英寸单晶圆HVPE设备。NCT公司的最新成果将克服氧化镓外延沉积的高成本问题，并极大地推动大直径晶圆批量生产设备的发展。NCT公司计划到2024年将氧化镓外延沉积的大规模生产设备商业化。

　                                                                                                                                                                　（摘编自 Novel Crystal Technology）